| Предварительный просмотр | Дата выпуска | Заглавие | Автор(ы) |
| 2013 | Влияние нагрева активной области на мощность генерации в лазерной структуре Ga0.8In0.2As/GaAs/GaInP | Ушаков, Д. В.; Афоненко, А. А.; Алешкин, В. Я. |
| 2008 | Генерация излучения среднего ик диапазона на разностной частоте в двухчастотных лазерах на основе гетероструктур GaAs/InGaAs/GaAsP | Алешкин, В. Я.; Гавриленко, В. И.; Дубинов, А. А. |
| 2002 | Генерация плазмонных мод на разностной частоте в многочастотных полупроводниковых лазерах | Афоненко, А. А.; Алешкин, В. Я.; Звонков, Б. Н. |
| 2000 | Генерация разностной гармоники в двухчастотном полупроводниковом лазере | Алешкин, В. Я.; Афоненко, А. А.; Звонков, Н. Б. |
| 2004 | Генерация разностной моды в полупроводниковом волноводе с металлической решеткой | Алешкин, В. Я.; Афоненко, А. А. |
| 2006 | Динамика генерации излучения в лазерах с асимметричной гетероструктурой в системе GAAS/INGAAS/INGAP | Афоненко, А. А.; Стецик, В. М.; Алешкин, В. Я.; Гавриленко, В. И. |
| 2017 | Динамика диаграммы направленности полупроводниковых лазеров с вытекающей модой | Стецик, В. М.; Домащук, C. B.; Афоненко, A. A.; Ушаков, Д. В.; Алешкин, В. Я.; Дубинов, А. А.; Дикарева, Н. В.; Некоркин, С. М.; Звонков, Б. Н. |
| 2002 | Исследование фотолюминесценции и поглощения света в квантовых точках INAS/GAAS и в ступенчатых квантовых ямах INGAAS/ALGAAS | Алешкин, В. Я.; Гапонова, Д. М.; Fossard, F.; Julien, F. |
| 2021 | Моделирование квантово-каскадных детекторов ИК диапазона на основе CdHgTe | Ушаков, Д. В.; Афоненко, А. А.; Хабибуллин, Р. А.; Дубинов, А. А.; Морозов, С. В.; Фадеев, М. А.; Уточкин, В. В.; Алешкин, В. Я.; Михайлов, Н. Н. |
| 2022 | Моделирование лазерных диодов с длиной волны генерации 3 мкм на основе HgTe/CdHgTe гетеростуктур с множественными квантовыми ямами с учетом эффекта горячих фононов | Афоненко, А. А.; Ушаков, Д. В.; Дубинов, А. А.; Алешкин, В. Я.; Морозов, С. В.; Гавриленко, В. И. |
| 2020 | Моделирование температурной зависимости усиления квантово-каскадных лазеров на основе HgCdTe с 2 КЯ на частоте 8.3 ТГц | Ушаков, Д. В.; Афоненко, А. А.; Хабибуллин, Р. А.; Пономарев, Д. С.; Алешкин, В. Я.; Морозов, С. В.; Гавриленко, В. И.; Дубинов, А. А. |
| 2023 | Некаскадный межподзонный инжекционный лазер среднего ИК-диапазона на основе HgCdTe | Афоненко, А. А.; Ушаков, Д. В.; Дубинов, А. А.; Алешкин, В. Я.; Морозов, С. В.; Гавриленко, В. И. |
| 2002 | О возможных коэффициентах усиления излучательных переходах в центрах e R ^ кремнии | Алешкин, В. Я.; Андреев, Б. А. |
| 2006 | Параметрическая генерация разностной частоты в лазерах и волноводах на основе полупроводников А3В5 | Гавриленко, В. И.; Алешкин, В. Я.; Дубинов, А. А.; Маремьянин, К. В. |
| 2002 | Расчет зонных диаграмм инжекционных лазеров с учетом процессов захвата носителей заряда в квантовые ямы | Афоненко, А. А.; Алешкин, В. Я. |
| 2013 | Эффективность генерации квантоворазмерных GaInAs/GaAs-лазеров при неоднородном возбуждении квантовых ям | Ушаков, Д. В.; Афоненко, А. А.; Алешкин, В. Я. |
