Logo BSU

Просмотр Авторы Ilyasov, V. V.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 1 - 6 из 6
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2017First-principles study of the structural and electronic properties of graphene/MoS2 interfacesHieu, N. N.; Phuc, H. V.; Ilyasov, V. V.; Chien, N. D.; Poklonski, N. A.; Hieu, N. V.; Nguyen, C. V.
2017First-principles study of the structural and electronic properties of graphene/MoS2 interfacesHieu, N. N.; Phuc, H. V.; Ilyasov, V. V.; Chien, N. D.; Poklonski, N. A.; Van Hieu, N.; Nguyen, C. V.
2019Magneto-optical transport properties of monolayer MoS2 on polar substratesNguyen, C. V.; Hieu, N. N.; Poklonski, N. A.; Ilyasov, V. V.; Dinh, L.; Phong, T. C.; Tung, L. V.; Phuc, H. V.
2017Magneto-optical transport properties of monolayer MoS2 on polar substratesNguyen, C. V.; Hieu, N. N.; Poklonski, N. A.; Ilyasov, V. V.; Dinh, L.; Phong, T. C.; Tung, L. V.; Phuc, H. V.
2019Strain-tunable electronic and optical properties of monolayer germanium monosulfide: ab-initio studyLe, P. T. T.; Nguyen, C. V.; Thuan, D. V.; Vu, T. V.; Ilyasov, V. V.; Poklonski, N. A.; Phuc, H. V.; Ershov, I. V.; Geguzina, G. A.; Hieu, N. V.; Hoi, B. D.; Cuong, N. X.; Hieu, N. N.
2018Tuning the electronic properties, effective mass and carrier mobility of MoS2 monolayer by strain engineering: first-principle calculationsPhuc, H. V.; Hieu, N. N.; Hoi, B. D.; Hieu, N. V.; Thu, T. V.; Hung, N. M.; Ilyasov, V. V.; Poklonski, N. A.; Nguyen, C. V.