Logo BSU

Просмотр Авторы Борздов, В. М.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 1 - 14 из 14
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2017Генерация гармоник терагерцового диапазона в GaAs/AlAs квантовой проволокеБорздов, A. B.; Борздов, В. М.
1999Дрейфовая скорость электронов в высоколегированной подложке кремниевого МОП-ПТАндреев, А. Д.; Борздов, В. М.; Валиев, А. А.; Жевняк, О. Г.; Русецкий, А. М.
2016Моделирование ВАХ субмикронного КНИ-МОП-транзистора с учетом процесса ударной ионизацииБорздов, А. В.; Борздов, В. М.; Дорожкин, Н. Н.
2017Моделирование методом Монте-Карло токовых флуктуаций в GaAsНовиков, И. С.; Борздов, В. М.
2017Моделирование методом Монте-Карло фототока субмикронного КНИ-МОП-транзистора при воздействии пикосекундного лазерного излученияБорздов, А. В.; Борздов, В. М.
2010Моделирование структуры и электрических характеристик P№-транзистора при различных параметрах эпитаксиальной плёнкиДудар, Н. Л.; Борздов, В. М.
2015Моделирование токовых флуктуаций в полупроводниковых наноструктурах. По заданию 2.2.06 «Разработка моделей для расчета и исследования квантоворазмерных наноструктур». ГПНИ «Функциональные и композиционные материалы, наноматериалы» : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель В. М. БорздовБорздов, В. М.; Борздов, А. В.; Сперанский, Д. С.; Сетун, А. Н.
2016Моделирование шумовых характеристик субмикронного кремниевого диода со структурой n+-n-n+ многочастичным методом Монте-КарлоБорздов, А. В.; Борздов, В. М.; Кучинский, П. В.
7-июл-2009Основы радиоэлектроники. №ТД-G.216/тип.Борздов, В. М.
2010Разработать модели и программное обеспечение для расчета характеристик приборов на системах с низкоразмерным электронным газом с размерами активных областей 100-10 нанометров : отчет о НИР(заключительный) / БГУ; науч. рук. Борздов, В. М.Борздов, В. М.; Поздняков, Д. В.; Сперанский, Д. С.; Борздов, А. В.
2010Разработать физико-математические модели, алгоритмы и программный комплекс для расчета электрических характеристик кремниевых субмикронных моп-транзисторов со структурным каналом : отчет о НИР (заключительный) / БГУ; науч. рук. Борздов, В. М.Борздов, В. М.; Поздняков, Д. В.; Жевняк, О. Г.; Сетун, А. Н.; Борздов, А. В.; Сперанский, Д. С.
2016Разработка нового способа изготовления транзистора со статической индукциейЛагунович, Н. Л.; Турцевич, А. С.; Борздов, В. М.
2010Формирование магнитных наноструктурных пленок и нанопроволок в матрице анодного оксида алюминия, исследование их физических свойств и моделирование ряда приборных структур на их основе для перспективных конструкций сверх плотной записи- считывания информации : отчет о НИР(заключительный) / БГУ; рук. Борздов, В. М.Борздов, В. М.; Поздняков, Д. В.; Сперанский, Д. С.; Борздов, А. В.; Долгая, Т. Н.
25-окт-2016Численное моделирование методом Монте-Карло полупроводниковых субмикронных диодных структурБорздов, А. В.; Борздов, В. М.; Кучинский, П. В.